Артем Александров
Опубликовано: 11.06.2013
Технические ограничения всегда были клеймом и подгоняющим фактором во всех мобильных устройствах. На данный момент, количество оперативной памяти во флагманских решениях составляет 2Gb, так как инженеры способны разместить только 4 чипа по 512Mb на плате устройства.
Компания SK Hynix решила изменить положение вещей, выпустив аналогичные LPDDR3 чипы на 20-нм техпроцессе, но с объемом в 1Gb каждый. Если исходить из существующих норм, то устройства теперь могут быть оснащены 4Gb оперативной памяти.
Данный прорыв наверняка будет быстро подхвачен производителями мобильных гаджетов и уже к концу этого года мы вполне можем увидеть первые из них.
Всего же в связке можно установить до 8Gb ОЗУ, но это дело уже ближайшего будущего.
Похожие статьи: Смартфоны лидируют в продажах All-over-IP Expo 2013: на 45% больше значимых инноваций, экспонентов, звездных персон и подготовленных встреч с покупателями ZTE Grand S II — первый с 4Gb оперативной памяти LG: как американцы используют смартфоны Российские заемщики получат деньги через социальную сеть ТегиLPDDR3 1Gb SK Hynix SK Hynix LPDDR3 1Gb в два раза больше ОЗУ мобильные устройства на 20-нм техпроцессе ОЗУ оперативная память
Похожие статьи:
Смартфоны лидируют в продажах
All-over-IP Expo 2013: на 45% больше значимых инноваций, экспонентов, звездных персон и подготовленных встреч с покупателями
ZTE Grand S II — первый с 4Gb оперативной памяти
LG: как американцы используют смартфоны
Российские заемщики получат деньги через социальную сеть
ТегиLPDDR3 1Gb SK Hynix SK Hynix LPDDR3 1Gb в два раза больше ОЗУ мобильные устройства на 20-нм техпроцессе ОЗУ оперативная память